据麦姆斯咨询报道，2017年10月，全球电路保护领域的领先企业Littelfuse推出了首个碳化硅（SiC）MOSFET产品系列：LSIC1MO120E0080，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。Littelfuse在2017年3月投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor公司，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。
LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻（80m?），是Littelfuse和Monolith Semiconductor联手推出的首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。该器件针对高频切换应用进行了优化，兼具超低切换损耗与超高切换速度，令传统功率晶体管望尘莫及。
Littelfuse增强模式碳化硅MOSFET：LSIC1MO120E0080
LSIC1MO120E0080系列碳化硅MOSFET利用X-Fab代工厂的专有技术和经验，在6英寸碳化硅生产线上实现量产，其封装为TO-247-3L。本报告详细拆解了该器件，并揭示了Littelfuse的创新之处，精彩内容不容错过。
芯片横截面剖析（样刊模糊化）
相比具有相同额定值的硅器件，碳化硅MOSFET系列产品的能效更高，系统尺寸/重量得到缩减，电力电子系统中的功率密度也有所增加。 即便在高温（150℃）下运行，也能发挥一流的耐用性与卓越性能。
新型碳化硅MOSFET产品的典型应用包括电源转换系统，例如：太阳能逆变器、开关模式电源设备、UPS系统、电机驱动器、高压DC/DC逆变器、电池充电器和感应加热。
LSIC1MO120E0080系列碳化硅MOSFET具有以下关键优势：
- 超高切换速度可提高效率和电源密度。
- 切换损耗降低，有助提高切换频率。
- 更高的工作温度可确保器件在广泛的高温应用中更加可靠耐用。
本报告详细分析了Littelfuse增强模式碳化硅MOSFET：LSIC1MO120E0080的芯片工艺流程、物料清单（BoM）、封装技术等，预估了其成本和价格，并将其与意法半导体和CREE的产品进行对比分析。
