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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ipw65r041cfd

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel MOSFET 650V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

规格书PDF

  • 芯片型号:

    IPW65R041CFD

  • PDF资料下载:

    下载资料

  • 原厂全称:

    Infineon Technologies AG

  • 原厂简称:

    INFINEON

  • 页数:

    15

  • 文件大小:

    1135 kb

  • 说明:

    extremely low losses due to very low fom rdson qg and eoss