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光华微一部公告
IPD90R1K2C3库存信息
更新时间：2020-01-19 17:01:00- 型号
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- IPD90R1K2C3
- Infineon/英飞凌
- 15000
- 19+
- 询价
IPD90R1K2C3中文资料
功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 500-900V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPD90R1K2C3 PDF资料
| 型号： | IPD90R1K2C3 | 前往资料站下载： | 下载 |
| 原厂全称： | Infineon Technologies | 原厂简称： | INFINEON |
| 页数： | 10 | 文件大小： | 296 /kb |
| 说明： | CoolMOS Power Transistor | ||
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