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IPB072N15N3库存信息
更新时间：2021-01-21 19:35:00- 型号
- 品牌
- 数量
- 批号
- 封装
- 备注
- 询价
- IPB072N15N3
- Infineon/英飞凌
- 10000
- 2020+
- SMD
- 绝对原装正品现货-支持含税
- 询价
- IPB072N15N3G
- Infineon/英飞凌
- 28558
- 2020+
- TO263
- 原装正品现货
- 询价
IPB072N15N3中文资料
功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB072N15N3 PDF资料
| 型号： | IPB072N15N3G | 前往资料站下载： | 下载 |
| 原厂全称： | Infineon Technologies | 原厂简称： | INFINEON |
| 页数： | 11 | 文件大小： | 414 /kb |
| 说明： | OptiMOS, Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | ||
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