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首页>IC芯片>BSC190N12NS3

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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    bsc190n12ns3

  • 功能描述

    MOSFET N-channel POWER MOS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

规格书PDF

  • 芯片型号：

    BSC190N12NS3G

  • PDF资料下载：

    下载资料

  • 原厂全称：

    Infineon Technologies AG

  • 原厂简称：

    INFINEON

  • 页数：

    10

  • 文件大小：

    440 kb

  • 说明：

    OptiMOS3 Power-Transistor

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