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BSC190N12NS3库存信息

更新时间:2020-01-19 17:01:00
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BSC190N12NS3中文资料

功能描述:MOSFET N-channel POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSC190N12NS3 PDF资料

型号: BSC190N12NS3G 前往资料站下载: 下载
原厂全称: Infineon Technologies 原厂简称: INFINEON
页数: 10 文件大小: 429 /kb
说明: OptiMOS3 Power-Transistor